云南锗业获得发明专利授权：“磷化铟单晶回料采用VGF或VB法再次生长单晶的装料方法”

2023-12-20 92217阅读

专利摘要：磷化铟单晶回料采用VGF或VB法再次生长单晶的装料方法，单晶生长所使用的原料全部为单晶生长过程产生的回料。本发明通过控制磷化铟单晶回料的参数要求、合理分配磷化铟单晶回料的装料配比和不同尺寸料块的装料位置，以及红磷、掺杂剂和液封剂的用量及放置位置，有助于多晶原料的快速熔化、掺杂剂的均匀分布、液封剂的有效侵润和红磷的蒸气压控制。该装料方法有效利用单晶生长回料，提高原料利用率，大幅减少废料的产生，降低了生产成本，并能提高使用单晶回料所生长的磷化铟单晶的电阻率、载流子浓度、电子迁移率的径向均匀性。

今年以来云南锗业新获得专利授权5个，较去年同期减少了58.33%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了1928.1万元，同比增59.06%。